东芝宣布将开发采用43纳米CMOS工艺闪存简介： 近期，东芝宣布开发出专用于16GBNAND闪存芯片的43纳米工艺技术。这种新型16GB产品的芯片大小比采用56纳米工艺技术制造的同密度NAND闪存小30%左右。这款新品的存储单元聚集在平行排列的64单元NAND串中，存储 ...
近期，东芝宣布开发出专用于16GBNAND闪存芯片的43纳米工艺技术。这种新型16GB产品的芯片大小比采用56纳米工艺技术制造的同密度NAND闪存小30%左右。这款新品的存储单元聚集在平行排列的64单元NAND串中，存储单元的数量是56纳米产品的一倍,这种技术有助于减少选择栅的数量并且提高存储区的效率。
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责任编辑：fuyang |
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